主要特点：特殊波段，温度范围宽泛，用于MOCVD、MBE系统的测温组件；
目前被AIXTRON指定为MOCVD设备测温器件，同时被国内高校、研究院所用于纳米材料生长的观察研究；
技术参数：
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温度范围 |
400 to 2600 °C 220 to 2600 °C 210 to 2600 °C 70 to 2600 °C 30 to 2400 °C |
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波长 |
650µm 用于高温金属、太阳能、SiC 材料测温 880µm 用于化合物半导体材料测温 900 µm 半导体，硅材料测温 1550µm 金属和陶瓷工艺测温 700-1650um 低温金属、陶瓷、金属氧化工艺测温 |
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发射率ε |
0.001-1.000 |
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响应时间 |
1ms |
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精度 |
读数0.15% 或1.5°C |
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漂移 |
每年不超过0.15°C |
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瞄准方式 |
可选择辅助激光瞄准 |